NTLTD7900ZR2G

onsemi

NTLTD7900ZR2G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN

停产/老旧8-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 6.5A, 4.5V
基础料号NTLTD79
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15pF @ 16V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max1.5W

机械

Package / Case8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)