NTLLD4901NFTWG

onsemi

NTLLD4901NFTWG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN

停产/老旧8-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.4mOhm @ 9A, 10V
基础料号NTLLD4901
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds605pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A, 6.3A
Power - Max800mW, 810mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-WDFN (3x3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)