NTLJS4D9N03HTAG

onsemi

NTLJS4D9N03HTAG

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN

在产6-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.1mOhm @ 10A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1020 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta)
最大功耗860mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerWDFN
供应商器件封装6-PQFN (2x2)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)