NTLJS4114NTAG

onsemi

NTLJS4114NTAG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-WDFN (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)