NTLJS1102PTAG

onsemi

NTLJS1102PTAG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN

停产/老旧6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 6.2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1585 pF @ 4 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列µCool™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id720mV @ 250µA

电气

漏源电压8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-WDFN (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)