NTLJD4150PTBG

onsemi

NTLJD4150PTBG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN

停产/老旧6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 4A, 10V
基础料号NTLJD41
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A
Power - Max700mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-WDFN (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)