NTLJD4116NT1G

onsemi

NTLJD4116NT1G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 4.5V
基础料号NTLJD41
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds427pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A
Power - Max710mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-WDFN (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)