NTLJD3119CTAG

onsemi

NTLJD3119CTAG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN

停产/老旧6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.8A, 4.5V
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds271pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列µCool™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A, 2.3A
Power - Max710mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-WDFN (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)