NTLGF3501NT2G

onsemi

NTLGF3501NT2G

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN

在产6-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.4A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds275 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列FETKY™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
最大功耗1.14W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-DFN (3x3)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)