NTLGD3502NT2G

onsemi

NTLGD3502NT2G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

在产6-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.3A, 4.5V
基础料号NTLGD3502
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A, 3.6A
Power - Max1.74W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-DFN (3x3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)