NTJD5121NT2G

onsemi

NTJD5121NT2G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

在产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
基础料号NTJD5121
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26pF @ 20V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C295mA
Power - Max250mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SC-88/SC70-6/SOT-363

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)