NTHL019N65S3H

onsemi

NTHL019N65S3H

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs19.3mOhm @ 37.5A, 10V
基础料号NTHL019
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15993 pF @ 400 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列SuperFET® III
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 14.3mA

电气

漏源电压650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
最大功耗625W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)