NTHD3102CT1G

onsemi

NTHD3102CT1G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET

已停产8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 4.4A, 4.5V
基础料号NTHD3102
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3.1A
Power - Max1.1W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装ChipFET™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)