NTHD2102PT1

onsemi

NTHD2102PT1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

停产/老旧8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3.4A, 4.5V
基础料号NTHD21
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds715pF @ 6.4V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A
Power - Max1.1W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装ChipFET™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)