NTH4L022N120M3S

Name: NTH4L022N120M3S
Brand: onsemi

模拟与电源

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 40A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3175 pF @ 800 V
制造商	onsemi
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 20mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	68A (Tc)
最大功耗	352W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)