NTH4L014N120M3P

Name: NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi

模拟与电源

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 74A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6230 pF @ 800 V
制造商	onsemi
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.63V @ 37mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	127A (Tc)
最大功耗	686W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)