NTGD4167CT1G

onsemi

NTGD4167CT1G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.6A, 4.5V
基础料号NTGD4167
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds295pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A, 1.9A
Power - Max900mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)