NTGD4161PT1G

onsemi

NTGD4161PT1G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 2.1A, 10V
基础料号NTGD41
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds281pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A
Power - Max600mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)