NTE4153NT1G

onsemi

NTE4153NT1G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3

在产SC-89, SOT-490模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 600mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 16 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C915mA (Ta)
最大功耗300mW (Tj)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-89, SOT-490
供应商器件封装SC-89-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)