NTD20P06LT4G

onsemi

NTD20P06LT4G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 7.5A, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1190 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.5A (Ta)
最大功耗65W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)