NTD14N03RT4G

onsemi

NTD14N03RT4G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds115 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
最大功耗1.04W (Ta), 20.8W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)