NTBV45N06LT4G

onsemi

NTBV45N06LT4G

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 22.5A, 5V
基础料号NTBV45
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1700 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Ta)
最大功耗2.4W (Ta), 125W (Tj)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D²PAK