NTBGS3D5N06C

onsemi

NTBGS3D5N06C

Datasheet

模拟与电源

POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 24A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2430 pF @ 30 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 122µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta), 127A (Tc)
最大功耗3.7W (Ta), 115W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装D2PAK-7

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)