NTBG080N120SC1

Name: NTBG080N120SC1
Brand: onsemi

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1154 pF @ 800 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+25, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 5mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
最大功耗	179W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)