NTB7D3N15MC

onsemi

NTB7D3N15MC

Datasheet

模拟与电源

NTB7D3N15MC

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 62A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4250 pF @ 75 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 342µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.2A (Ta), 101A (Tc)
最大功耗3.75W (Ta), 166W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D²PAK-3 (TO-263-3)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)