NTB60N06L

onsemi

NTB60N06L

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 30A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3075 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
最大功耗2.4W (Ta), 150W (Tj)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D²PAK

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)