NTB5D0N15MC

onsemi

NTB5D0N15MC

Datasheet

模拟与电源

MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 97A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6300 pF @ 75 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 532µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 139A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 214W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装TO-263 (D2PAK)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)