NTB25P06T4

onsemi

NTB25P06T4

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs82mOhm @ 25A, 10V
基础料号NTB25
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1680 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27.5A (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D²PAK