NTB004N10G

Name: NTB004N10G
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 201A TO263

在产TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 100A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11900 pF @ 50 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 500µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	201A (Ta)
最大功耗	340W (Tc)

Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	TO-263 (D2PAK)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)