NILMS4501NR2

onsemi

NILMS4501NR2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 24V 9.5A 4PLLP

停产/老旧4-DFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 6A, 10V
FET FeatureCurrent Sensing
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 6 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压24 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta)
最大功耗1.4W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case4-DFN
供应商器件封装4-PLLP (6.2x5.2)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)