NDT456P

onsemi

NDT456P

模拟与电源

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1440 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
最大功耗3W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223-4

环境

工作温度-65°C~150°C(TJ)