NDC652P

onsemi

NDC652P

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 3.1A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A (Ta)
最大功耗1.6W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装SuperSOT™-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)