NCV8440ASTT3G

onsemi

NCV8440ASTT3G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 2.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds155 pF @ 35 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 100µA

电气

漏源电压59 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
最大功耗1.69W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223 (TO-261)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)