MVSF2N02ELT1G

onsemi

MVSF2N02ELT1G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3

已停产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 5 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
最大功耗1.25W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)