MTY100N10E

onsemi

MTY100N10E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 100A TO264

停产/老旧TO-264-3, TO-264AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10640 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
最大功耗300W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装TO-264

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)