MMFT3055ET1

onsemi

MMFT3055ET1

模拟与电源

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

停产/老旧SOT-223-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列*
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Tc)
最大功耗800mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseSOT-223-3
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度-65°C~150°C(TJ)