MLD1N06CLT4G

onsemi

MLD1N06CLT4G

Datasheet

模拟与电源

IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs750mOhm @ 1A, 5V
基础料号MLD1N
FET TypeN-Channel
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列SMARTDISCRETES™
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
最大功耗40W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-50°C ~ 150°C (TJ)