MCH6331-TL-H

onsemi

MCH6331-TL-H

模拟与电源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

在产6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装6-MCPH

环境

工作温度150°C (TJ)