MCH3376-TL-E

onsemi

MCH3376-TL-E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 1.5A 3MCPH

停产/老旧SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs241mOhm @ 750mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds120 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
最大功耗800mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装3-MCPH

环境

工作温度150°C(TJ)