IRL640A

onsemi

IRL640A

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 9A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1705 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
最大功耗110W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)