IRFNL210BTA-FP001

onsemi

IRFNL210BTA-FP001

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 1A TO92L

停产/老旧TO-226-3, TO-92-3 Long Body模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta)

机械

封装Tape & Box (TB)
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装TO-92L

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)