HUFA75307T3ST

onsemi

HUFA75307T3ST

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列UltraFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
最大功耗1.1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101