HUF75925D3ST

onsemi

HUF75925D3ST

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs275mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1030 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列UltraFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
最大功耗100W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)