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HGTP12N60A4D

onsemi

HGTP12N60A4D

Datasheet

模拟与电源

IGBT 600V 54A TO220-3

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Gate Charge78 nC
输入类型Standard
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
Switching Energy55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C17ns/96ns
Test Condition390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)96 A
Power - Max167 W

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)

相似元器件

根据 HGTP12N60A4D 系列、制造商或产品分类匹配的相似元器件。

需确认

该料号暂未匹配到相关元器件。