FW389-TL-2W

onsemi

FW389-TL-2W

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs225mOhm @ 2A, 10V
基础料号FW389
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
Power - Max1.8W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度150°C (TJ)