FQT4N20LTF

onsemi

FQT4N20LTF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.35Ohm @ 425mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds310 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C850mA (Tc)
最大功耗2.2W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223-4

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)