FQT13N06LTF

onsemi

FQT13N06LTF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 1.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Tc)
最大功耗2.1W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223-4

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)