通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 650mA, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | FQS4900 |
| 配置 | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| 制造商 | onsemi |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 系列 | QFET® |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 60V, 300V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A, 300mA |
| Power - Max | 2W |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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