FQPF8P10

onsemi

FQPF8P10

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F

停产/老旧TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs530mOhm @ 2.65A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds470 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Tc)
最大功耗28W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220F-3

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)