FQP5N20L

onsemi

FQP5N20L

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2.25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
最大功耗52W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)